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GaN器件及制备方法.pdfVIP

GaN器件及制备方法.pdf

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    本发明提供一种GaN器件及制备方法，通过在衬底上采用二次外延可制备形成具有不同材料及非对称结构的第一势垒结构及第二势垒结构，以为源极及漏极提供不同的外延势垒结构，其中，第二势垒结构中的InAlN势垒层可与GaN沟道层的晶格常数相匹配，从而能形成无应力的稳定外延结构，且InAlN势垒层极化能力强，能在GaN沟道内极化出较多的二维电子气，而且通过掺杂InAlN势垒层，能更一进步的降低欧姆接触电阻，从而可为源极输入尽可能多的载流子，以及通过尽可能高的掺杂来降低源极欧姆接触电阻，且在漏极可提供稍少的载流

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113053749 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202110272079.3 H01L 29/06 (2006.01)

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