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本发明的实施方式提供一种抑制写入速度的降低且抑制阈值分布的扩展及偏倚的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含多个存储单元、字线及控制器。多个存储单元各自能够存储多比特的数据。字线连接于多个存储单元。控制器执行包含多个程序循环的写入动作。写入动作中,控制器在第1次程序循环的编程动作中对字线施加第1编程电压VPGMinit,在第2次程序循环的编程动作中,第1种情况下对字线施加第2编程电压VPGMinit+DVPGM1,第2种情况下对字线施加第3编程电压VPGMinit+DVPGM2。第1及第2
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035252 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202010799723.8 G11C 16/34 (2006.01)
(22)申请日 2
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