形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法.pdf

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本发明技术涉及形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法。举例来说，所述方法可包括沿着切道从晶片的后侧到所述晶片的所述后侧与所述晶片的前侧之间的中间深度形成第一通道。所述第一通道具有第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁。接着通过沿着所述第一通道的第一侧壁与第二侧壁之间的区从所述晶片中的所述中间深度朝向所述晶片的所述前侧进行激光切割来形成第二通道。所述第一倾斜侧壁限定在第一半导体裸片的一侧处的带槽区，且所述第二倾斜侧壁限定在第二半导体裸片的一侧处的带槽区。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053813 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202011563035.8 (22)申请日 2020.12.25 (30)优先权数据 62/954,25

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