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本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备,通过对待测试的DRAM进行两轮测试,以预设测试单元为单位对存储阵列进行遍历直至遍历完存储阵列的所有存储单元,预设测试单元包括存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元,对于遍历到的目标测试单元,基于预设测试数据按照预设顺序对目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作,将读取的数据与对应写入的数据进行比较,通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果,实现了矩阵跳转访问,模拟了非连续访问的情况,覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035259 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110245490.1
(22)申请日 2021.03.05
(71)申请人 深圳佰维存储科技股份有限公司
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