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    在一个实施例中，一种集成电路包括第一图案金属层；形成于第一图案金属层之上的第二图案金属层，其中此第二图案金属层包括在第一方向上延伸且少于9个的第二复数个金属轨道；安置在第一图案金属层与第二图案金属层之间的第三图案金属层，此第三图案金属层包括第一金属轨道区段、在第二方向上偏离第一金属轨道区段的第二金属轨道区段，及在第二方向上偏离第二金属轨道区段的第三金属轨道区段，其中第二复数个金属轨道以及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分在第二方向上是在双单元高度以内。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053873 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110031315.2 (22)申请日 2021.01.11 (30)优先权数据 16/837,79

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