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用于三维与非(3D NAND)应用的膜堆叠覆盖改进.pdfVIP

用于三维与非(3D NAND)应用的膜堆叠覆盖改进.pdf

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    本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113056807 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 201980076034.X S ·S ·阿迪帕利　N ·S ·乔拉普尔　

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