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半导体结构的形成方法及半导体结构.pdfVIP

半导体结构的形成方法及半导体结构.pdf

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    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：放置衬底于反应腔室内，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面覆盖有隔离层，所述隔离层表面覆盖有第一掩膜层；在预设刻蚀参数下刻蚀所述隔离层、部分所述衬底和部分所述第一导电结构，形成沟槽，所述预设刻蚀参数使得所述沟槽整个底部的刻蚀速率相等或者所述沟槽底部中心的刻蚀速率大于所述沟槽底部边缘的刻蚀速率，形成的所述沟槽具有平坦的底面或者所述沟槽的底部朝向所述衬底凹陷；形成阻挡层；形成第二导电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113053805 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202110264248.9 (56)对比文件

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