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2023-06-12 发布于四川
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KDP晶体一维往复运动生长方法.pdf

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本项目涉及一种KDP晶体一维往复运动生长方法，具有两大优势。一是避免了传统转晶法、二维和三维运动方法存在的极易形成包裹物的三种流动区域：迎流滞止区、背流对流涡胞区和侧壁边界层下游区；二是充分利用KDP晶体的一维对称性，靠往复运动实现可逆剪切流，可逆剪切流具备极佳的生长高质量晶体的水动力学条件，是理论上预测的晶面形貌“恒稳”的方式。该方法有利于实现快速的高质量KDP晶体生长，为惯性约束激光核聚变(ICF)激光装置所需的大尺寸和高质量KDP晶体提供较好的解决方案。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113046820 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110284799.1 (22)申请日 2021.03.16 (71)申请人重庆大学地址 40

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