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本公开提供一种逆导型IGBT的元胞结构及逆导型IGBT。该元胞结构包括位于元胞结构中心的第二导电类型阱区；设置于所述阱区表面内的第一导电类型源区和第二导电类型源区；其中，所述第一导电类型源区位于所述第二导电类型源区两侧并且部分底部覆盖所述第二导电类型源区两侧的部分表面，并使得所述第一导电类型源区的侧面与所述第二导电类型源区未被所述第一导电类型源区覆盖的表面一起合围成一主沟槽；覆盖在所述主沟槽的侧壁和底部上的导电层；设置在所述栅结构上和所述主沟槽中的发射极金属层；其中，所述主沟槽的底部上的部分导电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053991 A
(43)申请公布日
2021.06.29
(21)申请号 20191
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