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本公开提供一种SiC沟槽氧化层和SiCMOSFET沟槽栅的制备方法及沟槽型SiCMOSFET器件。该方法包括:提供第一导电类型的SiC衬底;刻蚀所述衬底,在所述衬底内形成多个间隔设置的沟槽结构;以掩蔽层作为掩蔽,注入氧离子到所述衬底,以在所述衬底表面和所述沟槽结构的底部形成氧离子注入层;去除所述掩蔽层,对所述衬底进行热氧化处理,以分别在所述衬底的表面和所述沟槽结构的底部形成第一氧化层,在所述沟槽结构的侧壁形成第二氧化层;其中,所述第一氧化层的厚度大于或等于所述第二氧化层的厚度。不仅解决了现有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113054014 A
(43)申请公布日
2021.06.29
(21)申请号 20191
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