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本发明公开了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113026106 B
(45)授权公告日 2021.08.10
(21)申请号 202110544234.2 C30B 23/00 (2006.01)
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