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本发明公开了一种超二代像增强器实现近贴聚焦的阴极法兰盘及加工方法,包括一种改良型阴极法兰盘及一种改良型车削加工方法。一种改良型阴极法兰盘包括法兰盘盘体,通孔,凸台,盛铟槽,定位稍,排铟槽。一种改良型车削加工方法为针对超二代像增强器管壳结构中装配环B面为基准,对装配环A面进行车削加工。再以装配环A面为基准,对改良型阴极法兰盘凸台进行车削加工。本发明可实现对超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的精准控制,改善封接后阴极空间尺寸的一致性,阴极与阴极法兰盘的同心度和阴极与微通道板的平行度问题,提升像增强器的质
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113053708 B
(45)授权公告日 2022.04.29
(21)申请号 202110292381.5 (51)Int.Cl.
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