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2023-06-12 发布于四川
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GaN器件结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体基底，进行碳化形成碳化硅层，形成外延结构，形成器件电极，形成窗口，在半导体基底背面制备背孔，形成散热腔，液冷自背孔通入并基于散热腔实现散热。本发明通过基底中的氧化层定义液冷的沟道位置，通过氧化层的刻蚀形成液冷散热通道，通过液冷散热流经器件有效区，大大增强了散热效果，无需传统的衬底背部减薄工艺，金属热沉键合工艺；本发明可以基于背孔及其布置进一步优化散热效果，并且，背孔还可以同时作为形成散热腔的开口；另外，可以通过正面开窗形成散热腔并

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053842 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110170455.8 (22)申请日 2021.02.08 (71)申请人浙江大学地址 31

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