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本发明提供了一种纳米材料,所述纳米材料为核壳结构纳米材料,包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。本发明提供的纳米材料,可以提高空穴传输性能,降低激子累积对发光器件性能的影响,从而提高QLEDs性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113054062 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 201911384735.8 (56)对比文件
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