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本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括提供的步骤、设定的步骤和蚀刻的步骤。提供的步骤将基片提供到载置台上，该基片具有包含硅氧化物膜的被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜之上的掩模。设定的步骤，将载置台的温度设定为0℃以下的温度的步骤。蚀刻的步骤，从气体生成等离子体，隔着掩模来蚀刻硅氧化物膜，该气体包含氟、氮和碳，且氟的数量相对于氮的数量的比率F/N为0.5～10的范围。根据本发明，能够抑制CD(CriticalDimension：关键尺寸)的扩大并且提高蚀刻速率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053745 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202011483012.6
(22)申请日 2020.12.16
(30)优先权数据
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