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一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备,涉及单晶生长设备领域,包括炉体、石英管,石英管、坩埚,炉体与石英管之间固定设置有单段式加热器,所述的单段式加热器外侧固定安装有温梯筒,所述的温梯筒带有环形的过液腔,过液腔底部螺纹连接有封堵环,封堵环内圈、外圈分别与温梯筒螺纹连接,封堵环沿周向均匀加工有进液孔,进液孔内插装有进液管,进液管与封堵环固定连接,进液管下方设置有储液箱,过液腔上端设置有出液口。本发明由于温梯范围可变化,所以在加热器长度不变的情况下,可提供不同范围的梯度场,从而适用于不同物质单晶生长
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113026089 B
(45)授权公告日 2022.02.08
(21)申请号 202110213776.1 (51)Int.Cl.
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