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2023-06-12 发布于四川
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本申请公开了一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件具有相邻的元胞区与终端区，功率半导体器件包括：半导体层，具有相对的第一表面与第二表面；多个沟槽结构，位于元胞区，每个沟槽结构沿半导体层的厚度方向延伸；分压环，位于终端区，分压环围绕元胞区；以及第一掺杂区，自终端区的部分分压环向元胞区延伸，与元胞区内的部分沟槽结构的底部接触，第一掺杂区部分位于分压环暴露的台面下方，部分位于元胞区内的部分沟槽结构的底部，第一掺杂区的掺杂浓度大于分压环的掺杂浓度，通过设置第一掺杂区，减少因电场作用产生的碰撞离

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113054011 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110181777.2 (22)申请日 2021.02.09 (71)申请人杭州士兰集昕微电子有限公司

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