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半导体器件和制造半导体器件的方法.pdfVIP

半导体器件和制造半导体器件的方法.pdf

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    半导体器件，包括金属栅极结构，金属栅极结构具有设置在金属栅极结构的侧壁上的侧壁间隔件。在一些实施例中，金属栅极结构的顶面相对于侧壁间隔件的顶面凹进。半导体器件可进一步包括设置在金属栅极结构的上方并且与金属栅极结构接触的金属覆盖层，其中金属覆盖层的底部的第一宽度大于金属覆盖层的顶部的第二宽度。在一些实施例中，半导体器件可进一步包括设置在金属覆盖层的任一侧上的介电材料，其中侧壁间隔件和金属栅极结构的部分设置在介电材料的下方。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053853 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110185533.1 H01L 29/423 (2006.01)

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