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本发明属于聚合物半导体材料领域,公开一类基于羟醛缩合制备的n‑型聚合物及其制备方法与应用。所述的基于羟醛缩合制备的n‑型聚合物的结构通式如下所示。本发明采用羟醛缩合反应进行聚合,没有毒害大的有机锡和卤素原子,无需使用昂贵的贵金属钯、镍类催化剂;且后处理简单,不会有残余的金属催化剂形成材料缺陷影响器件性能。所得到的的n‑型聚合物分子主链中的四个吸电基团可以增强聚合物重复单元的拉电子效应,提高分子链的电子亲和力,使材料具有更理想的能级结构;当用于太阳能电池器件时,其平均外量子效率可以达到30‑45%
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113024778 A
(43)申请公布日
2021.06.25
(21)申请号 20191
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