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本申请的实施例提供了一种晶圆级芯片封装结构及其制作方法和电子设备,涉及半导体技术领域。晶圆级芯片封装结构中,芯片的两侧分别设置第一重新布线层和第二重新布线层,因为铝垫是通过第一重新布线层、导电柱、第二重新布线最终连接到金属凸块,因此在面临热冲击时,从铝垫到金属凸块之间有更多的缓冲余地。此外,由于设置了在塑封体内设置了缓冲件,缓冲件能够在封装结构发生变形时优先变形,能够有效地改善塑封体内部的应力问题。本申请提供的制作方法用于制作上述的晶圆级芯片封装结构。本申请提供的电子设备包括上述的晶圆级芯片封装
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035831 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110568593.1 H01L 23/373 (2006.01)
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