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本申请提供了一种晶圆级芯片封装结构及其制作方法和电子设备,涉及半导体技术领域。晶圆级芯片封装结构中,芯片的两侧分别设置第一重新布线层和第二重新布线层,铝垫与第一重新布线层连接,第一重新布线层通过导电柱与第二重新布线层连接,而晶圆级芯片封装结构的金属凸块连接于第二重新布线层。该晶圆级芯片封装结构具有较佳的稳定性,不容易因热冲击而发生局部断裂。此外,由于设置了两个重新布线层,因此可以集成更多的功能,并且集成度较高。本申请提供的制作方法用于制作上述的晶圆级芯片封装结构,本申请提供的电子设备包括上述的晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113035832 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202110568594.6 H01L 23/31 (2006.01)
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