一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法.pdf

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本发明公开了一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法，包括四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)作为基板衬底；S2、采用磁控溅射法在所述四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)基板衬底上形成氮化铝(AlN)薄膜层；S3、在S2步骤中形成的氮化铝(AlN)薄膜层上通过HVPE气相生长法在高温环境下外延生长氮化镓(GaN)单晶层；S4、将氮化镓(GaN)单晶层上的四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)基板衬底和氮化铝(AlN)薄膜层去除，获得

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113046712 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110260067.9 (22)申请日 2021.03.10 (71)

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