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本申请公开一种用于电光调制器的电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件,在层叠有电极层的SOI衬底上制备目标凹槽阵列;将电光晶体基片进行离子注入、并切割成电光晶体切片;将各个电光晶体切片转移至目标凹槽阵列中对应的凹槽内、且与目标凹槽阵列中对应的凹槽内的衬底层键合,得到键合体;对所述键合体进行热处理,得到电光晶体薄膜。本申请保留在各个凹槽内的电光晶体薄膜层形成光波导结构,通过由电极形成的凹槽控制光波导的光信号,从而实现电光调制功能。同时,本申请采用SOI作为衬底,利用SOI衬底自身各层之间具有光滑表面的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113050308 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110260377.0 H01L 21/304 (2006.01)
(22)申请日 202
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