偏置保护环结构的方法、集成电路器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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偏置保护环结构的方法、集成电路器件及其形成方法.pdf

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一种用于偏置保护环结构的方法，包括将MOS晶体管的栅极偏置至第一偏置电压电平，将MOS晶体管的第一S/D区域和第二S/D区域偏置至电压域电压电平，将保护环结构的栅极偏置至第二偏置电压电平，以及将保护环结构的第一重掺杂区和第二重掺杂区偏置至电压域电压电平。第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个都有第一掺杂类型，第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型，以及第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个以及第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都被定位在具有第二掺杂类型的衬

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053998 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202011635105.6 (22)申请日 2020.12.31 (30)优先权数据

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