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本申请提供了化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统。其中化学气相沉积方法包括提供功能结构，所述功能结构上设有通孔。在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，每个所述导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。本申请将现有技术中单层形核层、单层子导电层的导电层结构变为形核层与子导电层层叠交替设置。这样首先由于形核层中的晶粒粒径较小，致密度较高，可有效缓解在形成子导电层时因副产物的扩散而对其他层结构造成影响的问题，避免侵蚀其他材料。其次，可在一定程度上减小子导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053809 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110304629.5
(22)申请日 2021.03.22
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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