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集成电路器件及其形成方法.pdfVIP

集成电路器件及其形成方法.pdf

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    一种晶体管包括具有第一栅极介电层和第二栅极介电层的栅极结构。第一栅极介电层设置在衬底上方。第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053882 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110151249.2 H01L 27/092 (2006.01)

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