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本发明公开了一种新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法,所述薄膜制备方法包含在基底上溅射阻挡层,在所述阻挡层上溅射发热层;采用包含硅的靶材溅射形成阻挡层,采用包含氧化铟锡的靶材溅射形成发热层,最终形成的新型复合半导体制热薄膜电热转换高效同时辐射直接穿透皮肤及皮下组织的远红外波。使用过程中,基底所含杂质由于升温向外扩散时,基底和发热层之间设置的阻挡层,一方面阻挡基底中的杂质向发热层扩散,另一方面防止水汽渗透进入发热层,减少杂质和水汽对发热层造成损害。本申请通过引入膜层设计,使得基底和发热层的热膨胀系
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113038641 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202110531857.6 H05B 3/06 (2006.01)
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