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本公开涉及半导体器件和方法。提供了一种半导体器件及其制造方法,其利用金属种子来辅助使铁电层结晶。在实施例中,金属层和铁电层彼此相邻地形成,并且然后金属层扩散到铁电层中。一旦就位,则执行结晶工艺,其利用金属层的材料作为种子晶体。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113054017 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202011162351.4 H01L 21/28 (2006.01)
(22)申请日 2
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