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半导体结构以及形成集成电路结构的方法.pdfVIP

半导体结构以及形成集成电路结构的方法.pdf

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    本公开提供了一种半导体结构的实施例。半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；栅极堆叠件，形成在衬底的前侧上，并且设置在衬底的有源区上；第一源极/漏极部件，形成在有源区上并且设置在栅极堆叠件的边缘处；背侧电源轨，形成在衬底的背侧上；背侧接触部件，插入在背侧电源轨和第一源极/漏极部件之间，并且将背侧电源轨电连接到第一源极/漏极部件。背侧接触部件还包括设置在衬底的背侧上的第一硅化物层。本发明的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053887 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202011261991.0 (22)申请日 2020.11.12 (30)优先权数据

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