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本发明公开了一种改善优值的新型场效应器件结构及其制造方法,其中一种改善优值的新型场效应器件结构,包括漏极金属层、第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层,所述第一导电类型外延层中部开设有元胞沟槽……;一种改善优值的新型场效应器件结构的制造方法包括步骤S1刻蚀形成第二导电类型体区形成和元胞沟槽,S2制备屏蔽栅多晶硅的倒阶梯状的部分,S3制备控制栅多晶硅并形成完整的屏蔽栅多晶硅……;本发明提供的具有阶梯状屏蔽栅结构可降低器件的栅电容并通过优化器件内部的电场线分布来改善导通电阻。即这种结构改善了低压
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035945 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110273843.9
(22)申请日 2021.03.15
(71)申请人 海速芯(无锡)科技有限公司
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