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2023-06-12 发布于四川
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一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置.pdf

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本发明公开了一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，包括机体，机体上开设有加热内腔，加热内腔的内壁上固定安装有腔体陶瓷衬，加热内腔的内底部固定安装有热盘，热盘的上表面开设有上下贯穿的顶针孔，顶针孔的内部固定连接有滑套；升降环的顶部固定安装有若干组顶针，顶针的上端滑动插接于顶针孔内部的滑套内，升降环的下部安装有用于驱动升降环的升降机构；热盘的上部表面安装有覆盖盘，覆盖盘的上部表面外圈上固定连接有边缘环；本发明利用电热丝热盘的方式进行加热，并将其与DXZ型行程限位器的传送机构合二为一，提高了工艺温度

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113046726 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110169428.9 (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人马浩宇地址 650

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