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集成电路和制造集成电路的方法.pdfVIP

集成电路和制造集成电路的方法.pdf

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    MFMIS‑FET包括具有三维结构的MOSFET，该结构允许MOSFET具有大于MFM或MOSFET的覆盖区的有效面积。在一些实施例中，MOSFET的栅电极和MFM的底部电极是一体的。在一些情况下，它们具有相等的面积。在一些实施例中，MFM和MOSFET具有几乎相等的覆盖区。在一些实施例中，MOSFET的有效面积远大于MFM的有效面积。这些结构减小了MFM结构和MOSFET之间的电容比，而没有以会减小漏极电流的方式减小MFM结构的面积。本发明的实施例还涉及集成电路和制造集成电路的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113078161 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202011294369.X (22)申请日 2020.11.18 (30)优先权数据 16/733,39

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