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本发明提供一种提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构，通过提供设置有若干半导体芯片的晶圆，所述相邻的半导体芯片具有切割道，所述切割道上有用于对准的金属结构、电性测试的金属焊盘、膜厚量测的金属焊盘中的至少一种；沿切割道方向去除所述金属结构或金属焊盘的部分金属或全部金属，形成间隙，以降低切割过程工艺难度，提高切割质量，改善半导体芯片的产品性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097135 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 201911338582.3
(22)申请日 2019.12.23
(71)申请人 格科微电子（上海）有限公司
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