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本发明提供了一种功率器件的终端结构及其制造方法，其中，终端结构包括：N‑衬底、P型体区、第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽、多晶硅栅、栅极氧化层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、N+源区、P+区域及源极金属，N‑衬底被划分为元胞区和终端保护区；第一凹槽于元胞区P型体区上开设；第二凹槽于终端保护区P型体区上开设，较第一凹槽深且宽；第三凹槽于终端保护区N‑衬底远离元胞区一侧开设，且内部填充有绝缘材料；第二凹槽内有第一绝缘层和多晶硅栅；源极金属连接P+区域、N+源区和主结区第二凹槽内部多晶硅栅并延伸至第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097288 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110337663.2
(22)申请日 2021.03.30
(71)申请人 上海埃积半导体有限公司
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