半导体结构及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.73万字
约 23页
2023-06-13 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构及其制备方法.pdf

1、本文档共23页，其中可免费阅读22页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供基底；于基底内形成初始沟槽；形成牺牲层，牺牲层包括第一部分及第二部分；第一部分填满初始沟槽，第二部分覆盖基底的上表面及第一部分的上表面；于第二部分内形成分割槽，以将第二部分图形化为牺牲图形，牺牲图形与第一部分对应设置；于分割槽内形成填充层，填充层填满分割槽；去除牺牲图形及第一部分，以形成字线沟槽；于字线沟槽内形成埋入式栅极字线。该半导体结构及其制备方法通过两步形成沟槽，使得埋入式栅极字线一半位于有源区内，可以将低对刻蚀工艺的要求，保证工艺的实现能力

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097150 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110351087.7 审查员王一帆 (22)申请日 2021.03.31

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

半导体结构及其制备方法.pdfVIP