基于石墨烯各向异性刻蚀原理的纳米通道高精度加工方法及其用途.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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基于石墨烯各向异性刻蚀原理的纳米通道高精度加工方法及其用途.pdf

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本发明公开了基于石墨烯各向异性刻蚀原理的纳米通道高精度加工方法及其用途。该方法包括：(1)在硅衬底上逐层形成SiO2层、单层石墨烯层和带状光刻胶层，其中，基于预期要获得的纳米通道的形状和尺寸控制：SiO2层的厚度；单层石墨烯层的形状和尺寸；带状光刻胶层的形状和尺寸；单层石墨烯层和带状光刻胶层重叠区域的位置、形状和尺寸；(2)采用氢氟酸溶液湿法刻蚀去除硅衬底上未经带状光刻胶层覆盖的SiO2层和重叠区域的SiO2层，以便在重叠区域形成纳米通道。该方法不仅操作简便，加工精度高，且制得的纳米通道三维尺寸

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113060700 A (43)申请公布日 2021.07.02 (21)申请号 202110301444.9 (22)申请日 2021.03.22 (71)申请人

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