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本发明提供了一种锗单晶及锗单晶的热处理工艺，该热处理工艺包括以下步骤：在惰性气氛中，对锗单晶依次进行第一恒温阶段、第一降温阶段、第二恒温阶段、第二降温阶段的处理；其中，第一恒温阶段为：升温至750～850℃，然后恒温保持一定时间；第一降温阶段为：以一定的速度降温至450～550℃；第二恒温阶段为：在450～550℃的条件下恒温一定时间，并且所述第二恒温阶段的恒温时间大于所述第一恒温阶段的恒温时间；第二降温阶段为：以一定的速度降温至20～30℃。该热处理工艺能够有效消除250mm以上大直径锗单晶中
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113073386 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110202067.3 C22F 1/16 (2006.01)
(22)申请日 20
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