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本发明涉及了一种功率半导体器件的结温提取方法，通过仿真软件搭建双脉冲实验电路，以SiCMOSFET为例，选其作为开关管，测量功率器件漏源电压vds的电压尖峰和功率半导体的结温，分析发现引起电压尖峰的原因包括跨导系数、门极阈值电压以及栅漏电容，而这些影响因素同样受到结温影响，通过仿真实验得到结温和关断电压尖峰存在着负的对应关系。该方法对开关管两端的电压波动有着很好的屏蔽作用，只需通过测量漏源电压vds的尖峰即可得到结温大小，该方法测量过程相较于其他结温提取方法读数更容易，精确度更高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113064042 B
(45)授权公告日 2022.02.08
(21)申请号 202110134810.6 G06F 30/367 (2020.01)
(22)申请日
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