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本发明公开了一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，包括步骤如下：(1)石墨烯转移；(2)隔离区工艺；(3)介质牺牲层生长；(4)源/漏电极制备；(5)自对准工艺；(6)栅电极制备；完成石墨烯场效应晶体管制备。本发明采用干法刻蚀形成凹槽，腐金液腐蚀受到介质牺牲层形成的凹槽限制，腐蚀间距小于常规工艺中腐蚀形成的对准间距，降低了寄生电阻；石墨烯场效应晶体管完成后，介质牺牲层对石墨烯场效应晶体管形成保护，相当于完成钝化，有利于在电路流片工艺中应用中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097072 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202110230544.7 H01L 29/78 (2006.01)
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