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本申请实施例提供一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管,应用于自对准双图案工艺,其中,所述方法包括:在栅极介质层上,依次形成至少两个隔离侧墙、包裹每一所述隔离侧墙的牺牲层、和位于所述牺牲层表面的低温氧化物层,其中,所述隔离侧墙用于定义栅极的特征尺寸;对所述低温氧化物层和所述牺牲层,依次进行刻蚀处理,以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙;对所述目标隔离侧墙进行减薄处理,得到减薄隔离侧墙,通过所述减薄隔离侧墙刻蚀所述栅极介质层,形成所述栅极。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097294 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110231131.0 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2021.03
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