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2023-06-13 发布于四川
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芯片结构、成膜方法、纳米孔测序装置及应用.pdf

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本申请公开了一种芯片结构、成膜方法、纳米孔测序装置及应用，该芯片结构包括：基底层和排油通道。基底层的第一表面包括第一功能膜层结构，第一功能膜层结构内包括阵列分布的结构单元，相邻的结构单元彼此连通；排油通道的第一端与第一功能膜层结构连通，排油通道限定非极性溶剂能够通过。排油通道对非极性溶剂的通透能力高，对极性溶剂的通透能力低，可以传导和排除多余的非极性溶剂。在大气压条件下，排油通道可使得非极性溶剂与极性溶剂相对分离。非极性溶剂可从含量高的区域向含量低的区域定向移动。第一功能膜层结构的相邻的结构单元

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113070113 B (45)授权公告日 2021.08.20 (21)申请号 202110617078.8 CN 102928610 A,2013.02.13 (22)

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