太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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本发明提供一种太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法，所述芯片级封装结构包括：封装下壳体、具有贯通开口的PCB线路板、太赫兹量子阱探测器、跨阻放大器、供电接头及输出接头，所述PCB线路板设于所述封装下壳体内，所述太赫兹量子阱探测器通过所述贯通开口设于所述封装下壳体内，所述跨阻放大器设于所述PCB线路板上，所述供电接头及所述输出接头的一端均设于所述PCB线路板上，且另一端均设于所述封装下壳体外。通过本发明提供的太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法，解决了现有太赫兹低温放大电路存在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113078221 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202110473933.2 (22)申请日 2021.04.29 (71)申请人中国

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