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本发明公开了一种光刻工艺禁止周期确定方法,通过对目标版图中特征图形具有的每个关键尺寸,均采用不同光源条件进行仿真,以获得每种光源条件下的仿真结果,由于在不同光源条件下,每个关键尺寸的特征图形的仿真结果不同,因此不同光源条件的仿真结果可以对工艺工程师调参数起到理论指导作用,并且根据每种光源条件的仿真结果确定出的禁止周期具有理论依据,更加精确,从而本申请确定出的禁止周期既简单又可以缩短产品工艺的周期,对提升版图的精准度有很大的帮助。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113064328 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110217162.0
(22)申请日 2021.02.26
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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