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2023-06-13 发布于四川
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一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法.pdf

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一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由砷化镓(GaAs)单晶衬底、p型Ga2O3纳米柱状结构薄膜两部分组成。首先对GaAs单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的As形成的As替位AsO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成AsO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米柱状结构还可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097055 B (45)授权公告日 2022.04.29 (21)申请号 202110359099.4 (56)对比文件 (22)申请日 2021.04

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