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一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置.pdfVIP

一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置.pdf

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    本发明提供一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置，包括侧壁和顶盖，顶盖盖合于侧壁的顶部，顶盖设置有与燃烧腔连通的废气入口，侧壁的底部设置有与燃烧腔连通的废气出口，侧壁的内部形成有夹层空腔，侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口，侧壁的外表面设置有与夹层空腔连通的进水口。通过在侧壁的内部形成有夹层空腔，并在侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口，从而形成水淋结构，水通过进水口进入夹层空腔，充满夹层空腔后通过出水口流出并沿着侧壁的内表面向下流动；向下流动的水将硅烷生成的二氧化

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113058356 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202110286355.1 F23G 7/06 (2006.01) (22)申请日 2021.03.

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