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    一种NAND闪存器件及其形成方法，方法在形成第一源漏掺杂区之后，刻蚀减薄第一初始间隙壁结构，使第一初始间隙壁结构形成第一间隙壁结构；形成第一间隙壁结构之后，在第一槽中形成底部介质层；形成底部介质层之后，去除第一间隙壁结构，以在底部介层和第一栅极结构之间、以及底部介质层和第二栅极结构之间形成第一开口；在第一开口的内壁和第一开口上、以及底部介质层上形成顶部介质层，第一槽中底部介质层分别和第一栅极结构和第二栅极结构之间具有第一空隙，第一空隙被顶部介质层的材料包裹；形成贯穿顶部介质层和底部介质层的第一导

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113078099 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 20201

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