半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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在实施例中，器件包括：包括第一衬底和第一互连结构的第一晶圆，第一互连结构的侧壁与第一衬底的侧壁形成钝角；以及接合到该第一晶圆的第二晶圆，该第二晶圆包括第二衬底和第二互连结构，第一衬底的侧壁从该第二衬底的侧壁和该第二互连结构的侧壁横向地偏移。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097130 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110244176.1 (22)申请日 2021.03.05 (30)优先权数据 63/001,16

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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