包括非易失性储存电路的半导体存储器装置及其操作方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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包括非易失性储存电路的半导体存储器装置及其操作方法.pdf

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一种非易失性储存装置包括：非易失性储存电路，包括适用于根据计数地址而依次输出熔丝数据的多个熔丝组，每个熔丝组包括使能熔丝、多个地址熔丝和重复性熔丝；读取控制电路，适用于接收熔丝数据，以及通过利用接收到的熔丝数据中的重复性熔丝的数据有选择地掩蔽使能熔丝和地址熔丝的数据来输出锁存数据；以及编程控制电路，适用于根据编程模式信号进行控制：在从外部输入的修复地址与重复的熔丝组中的地址熔丝的数据相同时对熔丝组中的重复的熔丝组的重复性熔丝进行编程，或者将修复地址编程到熔丝组中的可用熔丝组中。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113096716 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202010528496.5 (22)申请日 2020.06.11 (30)优先权数据 10-2019-0

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