一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备.pdf

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本发明涉及半导体领域，公开一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备，一种碳化硅衬底退火工艺，具体包括：将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽碳化硅衬底表面，且双层掩蔽层与碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；对碳化硅衬底进行退火处理。碳化硅衬底和双层掩蔽层之间的间距可以调整，进而达到改善碳化硅衬底表面粗糙度的目的。因此，碳化硅衬底退火结束后无需复杂的掩蔽层去除工艺，只需直接将双层掩蔽层拿走即可，从而在保证相同效果的情况下优化工艺来实现工艺成本的降低。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113066720 A (43)申请公布日 2021.07.02 (21)申请号 202110296226.0 (22)申请日 2021.03.19 (71)申请人珠海格力电器股份有限公司

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