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本发明涉及单晶硅直拉技术领域提出一种控制单晶硅内氧含量的连续直拉单晶炉,包括坩埚和坩埚内坝和加料器,加料器含熔融硅加料器,所述熔融硅加料器安装于所述坩埚的上方,并且根据预定的速度向坩埚提供液态硅;以及密封外壳,对连续直拉单晶炉的整体结构进行包围和真空密封。其中,所述坩埚中液态熔融硅的液位的深度小于1/2的坩埚直径,所述坩埚中最大熔融硅量小于单次拉晶2/3的总熔融硅需求量。本发明还提出一种控制氧含量和/或抑制单晶硅COP的连续直拉单晶方法。本发明可以抑制坝内外的氧原子的交换,减少氧原子等杂质以抑制
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113061982 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110300588.2
(22)申请日 2021.03.22
(71)申请人 上海引万光电科技有限公司
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